它是一种内存控制技术，是在现有的DDR内存技术上，通过扩展内存子系统位宽使得内存子系统的带宽在频率不变的情况提高了一倍。即是，通过两个64bit内存控制器来获得128bit内存总线所达到的带宽，且两个64bit内存所提供的带宽比一个128bit内存所提供的带宽效果好得多。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，两个内存控制器都能够在彼此间零等待时间的情况下同时运作。当控制器A准备进行下一次存取内存的时候，控制器 B就在读/写主内存。反过来也一样，B在准备的时候，A又在读/写主内存。这样的内存控制模式可以让有效等待时间减少50％。双通道技术使内存的带宽翻了一翻。看到这里，也许有些人会说，既然RDRAM不错，那现在的双通道RDRAM会不会更强呢？当然，采用双通道的RDRAM在很多方面都要强于不使用双通道的RDRAM。不过，因为它是采用串行的16bit的总线宽，这样使用双通道RDRAM的数据传输效果没有使用并行的双通道DDR采用的64bit传输效果强。
总的来说，双通道内存技术的特点是通过改变内存的控制方式来获得更高的带宽，它不需要内存生产商改变生产方式，是目前的技术条件下无疑是最省时省力的扩展内存带宽的办法，所以可以说双通道DDR技术给DDR带来了新的活力。
由上表可以看出，现在DDR333的数据传输率为2.7GB/秒，采用双通道的DDR333的传输率就已经达到了5.4GB/秒，而采用双通道的DDR400的峰值可达6.4GB/秒之高。现在，最高的RDRAM600在采用双通道的模式下才只能发挥4.8GB/秒的带宽。可见双通道DDR是现今最快也是最为成熟的内存传输技术。双通道DDR仍属于DDR体系，它和双通道RDRAM技术非常类似：两者都通过两条内存并行运作以获得双倍带宽。双通道DDR与其说是一种内存技术还不如说是芯片组技术来得确切，目前已有NVIDIA nForce、nForce 2及Intel E7500(用于高端Xeon系统)等产品可支持双通道DDR内存，Intel、SiS和VIA的下一代芯片组产品都已计划加入该功能，而AMD Opteron处理器集成的内存控制器也可支持双通道DDR技术……也就是说，双通道DDR技术会成为未来DDR内存的主要运作方式。
以上讲的都是双通道DDR在理论上的情况，那么，它们在不同平台上的表现又是怎样的呢？笔者马上就从支持Intel和AMD两个平台的芯片组分别来给大家看看它们的技术参数与构架。
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标题: 揭开双通道DDR的神秘面纱